Перейти к содержимому
+7 499 67-33-888

Твердотельный накопитель Samsung SSD 990 EVO Plus, 2 ТБ, V-NAND, чтение 7250 МБ/с, 1200 ТБ

Артикул Код товара 15024 Бренд Samsung Electronics
  • Объём2 ТБ
  • Форм-факторM.2 2280
  • Тип памятиV-NAND
  • Гарантия12 мес

Описание

Samsung SSD 990 EVO Plus, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6300MB/s, IOPs 1 000 000/1 350 000, TBW 1200, DWPD 0.3 (12 мес.) (MZ-V9S2T0BW)

Твердотельный накопитель Samsung SSD 990 EVO Plus — замена жёсткому диску или второй накопитель: система загружается быстрее, программы открываются без задержек. Ключевые параметры: 2 ТБ, V-NAND, чтение 7250 МБ/с, 1200 ТБ, запись 6300 МБ/с.

Характеристики:

  • Объем накопителя: 2 ТБ;
  • Тип памяти: V-NAND;
  • Скорость последовательного чтения: 7250 МБ/с;
  • Скорость последовательной записи: 6300 МБ/с;
  • Интерфейс: PCIe 4.0 x4 (NVMe);
  • TBW твердотельного накопителя: 1200 ТБ;
  • Назначение: Клиентские ПК;
  • Форм-фактор: M.2 2280.

Перед покупкой проверьте свободный разъём нужного формата в компьютере или ноутбуке.

DRAM буфер 1
TBW твердотельного накопителя 1200
Ёмкость накопителя 2000
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Назначение Клиентские ПК
Скорость последовательного чтения 7250
Скорость последовательной записи 6300
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1000000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 1350000
Средняя наработка на отказ 1500000
Тип памяти V-NAND
Форм-фактор M.2 2280

Характеристики Samsung Electronics MZ-V9S2T0BW

Производитель

Гарантия
12 мес

Память

Тип памяти
V-NAND

Устройства хранения данных

Объем накопителя
2 ТБ

Прочие характеристики

Форм-фактор
M.2 2280

Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.

Из блога

Статьи и обзоры об этой модели

Все обзоры и статьи


Выберите модификацию товара.
Изображение